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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB vs Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
41
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
38
读取速度,GB/s
12.9
14.8
写入速度,GB/s
7.7
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2028
3094
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB RAM的比较
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Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
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