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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
31
左右 32% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
15
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
31
读取速度,GB/s
15.0
16.9
写入速度,GB/s
13.9
11.1
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
3132
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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