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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
32
左右 34% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
13.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
32
读取速度,GB/s
15.0
16.8
写入速度,GB/s
13.9
14.4
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
3401
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB RAM的比较
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
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