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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
24
左右 13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
13.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
15
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
24
读取速度,GB/s
15.0
17.9
写入速度,GB/s
13.9
13.6
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
3346
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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