RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
30
左右 30% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
30
读取速度,GB/s
15.0
15.9
写入速度,GB/s
13.9
12.4
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
3021
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link