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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
27
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
27
读取速度,GB/s
15.0
14.6
写入速度,GB/s
13.9
11.0
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
2890
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Team Group Inc. DDR4 2800 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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