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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
27
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
27
读取速度,GB/s
15.0
18.7
写入速度,GB/s
13.9
17.8
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
3963
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
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