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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
54
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
38
读取速度,GB/s
9.2
15.0
写入速度,GB/s
8.1
10.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2845
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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