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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
比较
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
总分
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
39
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
30
读取速度,GB/s
14.3
17.6
写入速度,GB/s
8.7
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2376
3564
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB RAM的比较
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
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