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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs AMD R748G2400U2S 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
AMD R748G2400U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R748G2400U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
87
左右 -278% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
23
读取速度,GB/s
3,155.6
16.4
写入速度,GB/s
870.4
11.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2686
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
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