RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
87
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
26
读取速度,GB/s
3,155.6
14.6
写入速度,GB/s
870.4
11.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3124
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB RAM的比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link