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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
87
左右 -172% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
32
读取速度,GB/s
3,155.6
11.4
写入速度,GB/s
870.4
12.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2804
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
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