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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston KH280C14D4/8X 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
74
左右 -185% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
26
读取速度,GB/s
4,178.4
14.3
写入速度,GB/s
2,201.1
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD1 V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 31 32 33 34 35 36 37
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2779
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 4GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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