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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
87
左右 -123% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
39
读取速度,GB/s
3,155.6
14.8
写入速度,GB/s
870.4
13.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3017
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB RAM的比较
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
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