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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
87
左右 -172% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
32
读取速度,GB/s
3,155.6
14.1
写入速度,GB/s
870.4
13.9
内存带宽,mbps
5300
no data
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
, 1.20000005, CAS Supported:
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
417
2918
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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