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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
87
左右 -172% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
32
读取速度,GB/s
3,155.6
12.1
写入速度,GB/s
870.4
9.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2585
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R748G2133U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston KHX16 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
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