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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
12.2
写入速度,GB/s
870.4
12.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2869
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
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