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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
87
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
27
读取速度,GB/s
3,155.6
14.3
写入速度,GB/s
870.4
9.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2979
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
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