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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
87
左右 -172% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
32
读取速度,GB/s
3,155.6
18.5
写入速度,GB/s
870.4
13.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3356
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
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