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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
21.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
87
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
26
读取速度,GB/s
3,155.6
21.1
写入速度,GB/s
870.4
17.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3931
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
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