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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
87
左右 -335% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
20
读取速度,GB/s
3,155.6
19.9
写入速度,GB/s
870.4
15.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3558
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
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AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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