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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
87
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
27
读取速度,GB/s
3,155.6
14.8
写入速度,GB/s
870.4
11.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2918
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
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