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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
87
左右 -172% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
32
读取速度,GB/s
3,155.6
11.6
写入速度,GB/s
870.4
14.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2957
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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