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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
87
左右 -358% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
19
读取速度,GB/s
3,155.6
20.2
写入速度,GB/s
870.4
17.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3862
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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