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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
87
左右 -149% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
35
读取速度,GB/s
3,155.6
16.5
写入速度,GB/s
870.4
14.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3534
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
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