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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
61
69
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
61
读取速度,GB/s
4,217.2
17.6
写入速度,GB/s
1,857.7
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2113
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
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