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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
18.3
写入速度,GB/s
870.4
13.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3433
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB
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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
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