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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
87
左右 -295% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
22
读取速度,GB/s
3,155.6
18.3
写入速度,GB/s
870.4
16.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3934
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-040.A00G 16GB
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Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
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