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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
87
左右 -295% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
22
读取速度,GB/s
3,155.6
17.6
写入速度,GB/s
870.4
12.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2728
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5428-049.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
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