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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
87
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
30
读取速度,GB/s
3,155.6
16.7
写入速度,GB/s
870.4
12.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3127
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB RAM的比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
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Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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