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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.8
11.7
写入速度,GB/s
8.4
6.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1901
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
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