RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
87
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
26
读取速度,GB/s
3,155.6
15.1
写入速度,GB/s
870.4
11.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2579
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Jinyu 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link