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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
87
左右 -129% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
38
读取速度,GB/s
3,155.6
14.5
写入速度,GB/s
870.4
10.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2509
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
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