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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
87
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
33
读取速度,GB/s
3,155.6
15.4
写入速度,GB/s
870.4
10.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2674
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
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