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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
54
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
39
读取速度,GB/s
9.2
15.7
写入速度,GB/s
8.1
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2958
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
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