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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
15.8
写入速度,GB/s
870.4
11.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2865
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
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