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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
87
左右 -172% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
32
读取速度,GB/s
3,155.6
16.5
写入速度,GB/s
870.4
12.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3060
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
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Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
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