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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
87
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
27
读取速度,GB/s
3,155.6
18.7
写入速度,GB/s
870.4
15.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3772
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
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