RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
18.3
写入速度,GB/s
870.4
14.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3414
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link