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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
87
左右 -278% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
23
读取速度,GB/s
3,155.6
19.0
写入速度,GB/s
870.4
16.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
4001
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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