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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
87
左右 -278% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
23
读取速度,GB/s
3,155.6
19.6
写入速度,GB/s
870.4
17.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
4100
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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