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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
87
左右 -248% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
25
读取速度,GB/s
3,155.6
17.3
写入速度,GB/s
870.4
13.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2994
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
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