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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905625-139.A00G 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
87
左右 -278% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
23
读取速度,GB/s
3,155.6
17.5
写入速度,GB/s
870.4
13.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3195
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
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Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
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Kingston 9905678-042.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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