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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905678-005.A00G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
87
左右 -172% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
32
读取速度,GB/s
3,155.6
15.6
写入速度,GB/s
870.4
10.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2991
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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