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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
13
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 -36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
25
读取速度,GB/s
16.0
13.0
写入速度,GB/s
10.3
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2931
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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