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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905702-002.A00G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
87
左右 -172% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
32
读取速度,GB/s
3,155.6
11.2
写入速度,GB/s
870.4
8.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2510
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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