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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905702-204.A00G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
16.2
写入速度,GB/s
870.4
12.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3084
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
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