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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9905713-008.A00G 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
87
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
26
读取速度,GB/s
3,155.6
12.2
写入速度,GB/s
870.4
5.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1970
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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Kingston 9905598-025.A00G 8GB
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Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
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