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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9965600-005.A01G 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
13.9
写入速度,GB/s
870.4
8.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2597
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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