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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
87
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
26
读取速度,GB/s
3,155.6
13.6
写入速度,GB/s
870.4
10.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2406
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
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